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    涂层四探针电阻率测试仪现货

    型号:

    产品时间:2020-03-24

    简要描述:

    涂层四探针电阻率测试仪现货,参照 GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国 A.S.T.M 标准,本机配置232电脑接口及USB两种接口,本机结合采用范德堡测量原理

    详细介绍

    涂层四探针电阻率测试仪现货

      GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国 A.S.T.M 标准,本机配置232电脑接口及USB两种接口,本机结合采用范德堡测量原理

    四探针电阻率/方阻测试仪

    1.方块电阻范围:10-5~2×105Ω/□

    2.电阻率范围:10-6~2×106Ω-cm

    3.测试电流范围:0.1μA ,1μA,10μA,100μA,1mA,10mA,100 mA

    4.电流精度:±0.1%读数

    5.电阻精度:≤0.3%

    6.显示读数:液晶显示:电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率

    7.测试方式: 普通单电测量

    8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz  耗:<30W

    9.整机不确定性误差: ≤4%(标准样片结果)

    10.选购功能: 选购1.pc软件; 选购2.方形探头; 选购3.直线形探头; 选购4.测试平台

    11.测试探头:   探针间距选购:1mm;2mm;3mm三种规格; 探针材质选购:碳化钨针;白钢针;镀金磷铜半球形针

    涂层四探针电阻率测试仪现货

     

    参照标准:

    1.硅片电阻率测量的标准(ASTM F84).

    2.GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》.

    3.GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》.

    4.GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》.

    双电组合测试方法:

    利用电流探针、电压探针的变换,进行两次电测量,对数据进行双电测分析,解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响,适用于斜置式四探针对于微区的测试。

     


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