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    硅晶块方阻电阻率测试仪厂家

    型号:

    产品时间:2020-03-24

    简要描述:

    硅晶块方阻电阻率测试仪厂家,本仪器本仪器采用四探针双电测量方法,适用于生产企业、高等院校、科研部门,是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料

    详细介绍

    硅晶块方阻电阻率测试仪厂家

    本仪器本仪器采用四探针双电测量方法,适用于生产企业、高等院校、科研部门,是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料

    参数资料

    1.方块电阻范围:10-4~2×103Ω/□

    2.电阻率范围:10-5~2×104Ω-cm

    3.测试电流范围:10μA,100µA,1mA,10mA,100 mA

    4.电流精度:±0.2%读数

    5.电阻精度:≤0.3%

    6.显示读数:液晶显示:电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率

    7.测试方式: 双电测量

    8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz  耗:<30W

    9.整机不确定性误差: ≤4%(标准样片结果)

    10.选购功能: 选购1.pc软件; 选购2.方形探头; 选购3.直线形探头; 选购4.测试平台

    11.测试探头: 探针间距选购:1mm;2mm;3mm三种规格; 探针材质选购:碳化钨针;白钢针;镀金磷铜半球形针

    硅晶块方阻电阻率测试仪厂家

     

    功能描述Description:

    • 四探针组合双电测量方法
    • 液晶显示,自动测量,自动量程,自动系数补偿.
    • 集成电路系统、恒流输出.
    • 选配:PC软件进行数据管理和处理.
    • 提供中文或英文两种语言操作界面选择

     

    参照标准:

    1.硅片电阻率测量的标准(ASTM F84).

    2.GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》.

    3.GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》.

    4.GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》.

     

     

     


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